Последњих година, полупроводничка технологија се брзо развила, а потражња за танталом који се користи као распршени филм постепено се повећава. У интегрисаним колима тантал се поставља између силицијумских и бакарних проводника као дифузиона баријера. Методе производње запрскање танталних метаукључују металургију ингота (И/М) и металургију праха (П/М). Танталне мете са нижим захтевима се углавном праве од ингота тантала. Међутим, у неким случајевима са вишим захтевима, И/М метода се не може користити, а метода металургије праха може се користити само за њену производњу. На пример, И/М метода не може да произведе мете од легуре због различитих тачака топљења тантала и силицијума и ниске жилавости силицијумских једињења.
Супстанце које контаминирају полупроводнички уређај не смеју бити присутне у формирању филма. Када се формира филм за распршивање, ако постоје нечистоће у мети тантала (легура, једињење), нечистоће ће бити уведене у комору за распршивање, узрокујући да се грубе честице прикаче за подлогу и кратко споје коло танког филма. У исто време, нечистоће такође могу бити разлог за повећање избочених честица у танком филму. Гасови нечистоће као што су кисеоник, угљеник, водоник и азот у мети ће изазвати абнормалне појаве и узроковати проблеме у униформности формираног филма. Поред тога, за метод металургије праха, униформност депонованог филма је функција величине зрна у мети, а што је зрно у мети финије, то је филм уједначенији. Због тога, у струци постоји потреба за висококвалитетним танталним праховима и танталним метама. Због тога, да би се добио висококвалитетни тантал у праху и тантални циљ, потребно је смањити садржај нечистоћа у праху тантала и повећати чистоћу танталовог праха.
Баоји Иусхенг Метал Тецхнологи Цо., Лтд. може производититантал у прахуразличитих величина честица. Под претпоставком обезбеђивања високог квалитета, наша компанија има комплетан асортиман металних прахова тантал, који могу задовољити потребе различитих купаца у истраживању и развоју, тестирању, производњи, потрошњи итд.
