1) Теорија магнетронског распршивања.
Трајни магнети уграђени у површину циљаног материјала стварају магнетно поље од 250–350 гауса, које је комбиновано са електричним пољем високог напона да би се створило ортогонално електромагнетно поље у распршеном циљном полу (катоди) и аноди. Ово се ради у комори високог вакуума испуњеној неопходним инертним гасом (обично Ар гасом). Циљ се додаје са одређеном количином негативног високог напона, електрони из мете подлежу деловању магнетног поља и јонизацији. радног гаса се повећава. Плазма високе густине се затим формира у близини катоде, где се Ар јони убрзавају под утицајем Лоренцове силе и лете ка површини мете, бомбардујући површину мете честицом веома високе енергије. циљ се придржава принципа конверзије момента са високим степеном прецизности. Користећи принцип конверзије кинетичке енергије, распршени атоми на мети одлете са површине и према подлози да наносе слој. Магнетронско распршивање се често дели на два типа: ДЦ распршивање и РФ распршивање. Опрема за распршивање једносмерне струје ради на једноставној основи и распршује метале великом брзином. За разлику од реактивног распршивања, које се користи за стварање сложених материјала укључујући оксиде, нитриде и карбиде, РФ распршивање има шири спектар употребе и може да распршује непроводне материјале поред електрично проводљивих материјала. Када се РФ фреквенција повећа, процес се трансформише у микроталасно распршивање плазме. Данас се најчешће користи микроталасно распршивање плазме типа електронске циклотронске резонанце (ЕЦР).
2) Типови мета за распршивање магнетрона.
Мете за распршивање метала, легура и керамике обухватају мете за премазивање метала, легуре и керамике, као и мете за распршивање боридне керамике, мете за распршивање карбидне керамике, мете за распршивање флуорида керамике, нитридне керамичке, мете за распршивање керамичких оксида, сецерамичке мете за распршивање мете, силицидне керамичке мете за распршивање, сулфидне керамичке спуттере (ИнАс).
Глас уредника, [2] Област примене
Сви знамо да су тренд развоја технологије танког филма низводне индустрије апликација и тренд развоја технологије циљних материјала уско повезани, тако да како индустрија примене унапређује технологију танкослојних компоненти или производа, технологија циљаног материјала такође треба да напредује. произвођачи Иц, као илустрација. Недавно фокусиран на развој бакарног ожичења ниске отпорности, очекује се да ће за неколико година оригинална алуминијумска фолија бити у великој мери замењена, што ће захтевати хитан развој бакарних мета и неопходног циљаног материјала за слој баријере. Поред тога, оригинално тржиште компјутерских монитора и телевизора засновано на катодној цеви (ЦРТ) последњих година је у великој мери замењено екранима са равним екраном (ФПД). такође ће у великој мери подићи тржишну и технолошку потражњу за ИТО циљевима. Штавише, у технологији складиштења. Потражња за чврстим дисковима велике густине и великог капацитета и оптичким дисковима велике густине који се могу поново уписивати је у порасту. Као резултат свега овога, променила се потражња за циљним материјалима у области апликација. Примарне примене циљних материјала биће разматране у одељцима који следе, заједно са развојним трендовима за ове апликације.
3）Микроелектроника
Од свих индустрија примене, индустрија полупроводника има најстроже стандарде квалитета за филмове за распршивање циља. Тренутно се производе силиконске плочице дужине до 12 инча (300 епитоде), иако су ширине везе све уже. Произведене мете морају имати бољу микроструктуру због захтева произвођача силицијумских плочица за велике величине, високу чистоћу, смањену сегрегацију и фина зрна. Утврђено је да је значајан фактор који утиче на брзину наношења филма хомогеност мете и пречник кристалних честица. Такође, чистоћа мете има значајан утицај на чистоћу филма. Циљна чистоћа од 99,995 процената (4Н5) бакра је у прошлости могла бити довољна да задовољи потребе произвођача полупроводника за {{10} }.35пм процес, али данашњи процес од 0,25ум, па чак и уметнички процес од 0,18ум за уређаје без мерења захтевају циљну чистоћу од 5 или чак 6Н или више. Бакар има нижу отпорност и већу отпорност на електромиграцију од алуминијума! Приступ проводнику захтева субмикронску жицу која је мања од 0,25 ум, али има и додатне недостатке, попут слабе везе бакра са органским диелектрицима. И брзо реагује, узрокујући кородију и ломљење бакарне конекторске линије чипа. Неопходно је створити слој баријере између слоја бакра и диелектрика да би се решили ови проблеми. Већина материјала блокирајућег слоја има високе тачке топљења и високу отпорност за метал и његова једињења, што резултира дебљином слоја мањом од 50 нм и ефективном адхезију између бакра и диелектричних материјала. Повезивање материјала за блокирање између бакра и алуминијума је јасно. Неопходно је креирати свеже циљне материјале. повезаност бакра између блокирајућег слоја и циљних материјала Та, В, ТаСи, ВСи, итд. Ипак, ватростални метали Та и В постоје. С обзиром на потешкоће у производњи, истраживачи тренутно истражују друге материјале, укључујући молибден, хром и тајванско злато.
4) За илустрацију
Тржиште компјутерских монитора и телевизора значајно је утицало на екране са равним екраном (ФПД), углавном у облику катодних цеви (ЦРТ), што ће такође подстаћи техничке и тржишне потребе за ИТО циљевима. иТО мете данас долазе у две различите варијанте. Један укључује коришћење мете легуре индијум-калај, док други укључује мешање и синтеровано нано стање индијум оксида и праха калајног оксида. Коришћењем ДЦ реактивног распршивања, мете легуре индијум-калај могу се користити за ИТО танке филмове, међутим површина мете ће оксидирати и утицати на брзину распршивања, а тешко је пронаћи велике тајванске златне мете.
Ових дана, Л-ИРФ процес премазивања реактивним распршивањем се обично користи за креирање ИТО циљева. Брзина наношења је велика. И може прецизно управљати дебљином филма, високом проводљивошћу, добром униформношћу и јаким приањањем на подлогу, између осталих својстава. Међутим, производња циљног материјала суочава се са изазовима јер је тешко синтеровати индијум оксид и калај оксид. Често коришћени као адитиви за синтеровање, ЗрО2, Би2О3 и ЦеО могу да произведу мете са густином између 93 и 98 процената теоријске вредности. Адитиви имају значајан утицај на то колико добро функционишу ИТО филмови направљени на овај начин. Би2О3, који се топи на 820 степени и који је већ почео да испарава изнад температуре синтеровања од 500 степени, користе јапански научници као адитив. Ово омогућава да се добије ИТО циљ који је релативно чист када се користи синтеровање у течној фази. Штавише, предусловна процедура је поједностављена чињеницом да неопходна оксидна сировина не мора нужно бити наночестице. У „Водичу о актуелним приоритетима развоја информационе индустрије о важним областима“ који су 2000. објавили Национална комисија за планирање развоја и Министарство науке и технологије, такође се помиње главни циљни материјал ИТО.
5) за држање
ЦоФЦу вишеслојни композитни филм је данас популарна гигантска магнеторезистивна филмска структура. У области технологије складиштења, развој чврстог диска велике густине и великог капацитета захтева значајан број џиновских магнеторезитивних филмских материјала. Магнетни дискови произведени од циљног материјала легуре ТбФеЦо, који се још увек развија, имају висок капацитет складиштења, дуг животни век и могућност да се више пута бришу без додира. ТбФеЦо/Та и ТбФеЦо/Ал формирају слојеве композитне филмске структуре која се користи у данашњим магнетним дисковима. Керов угао ротације ТбФеЦо/АИ структуре може да достигне 58, док ТбФеЦофФа може бити само 0.8. Откривено је да ниска магнетна пермеабилност циљног материјала и висок напон парцијалног пражњења наизменичне струје делују као електрични отпорници.
Меморије са променом фазе (ПЦМ) засноване на германијум антимон телуриду показале су значајан комерцијални потенцијал као заменска меморијска технологија за блиц типа НОР и као компонента тржишта ДРАМ-а. Међутим, једна од препрека за брже скалирање је недостатак потпуно херметичких ћелија које се могу произвести за даље смањење струје ресетовања. За данашњег потрошача који је веома преносив, оријентисан на податке, ниже струје ресетовања могу повећати пропусни опсег података, продужити век трајања батерије и смањити потрошњу енергије меморије.
